Nanofios semicondutores III-V baseados em Ga: crescimento, novos catalisadores e propriedades ópticas

"Nanofios semicondutores III-V baseados em Ga: crescimento, novos catalisadores e propriedades ópticas" (Doutorado). Candidato: Bruno César da Silva. Orientadora: professora Mônica Alonso Cotta. Dia 27 de março de 2020, às 14 horas, no auditório da Pós-graduação  do IFGW.

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