Relatório Carga Fapesp / 2011Emissão: 06/07/2015 21:01:05

DFA - DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA

Projeto Alterado
Nome Projeto: NANOFIOS SEMICONDUTORES: PROCESSOS DE FORMACAO E APLICACOES EM SISTEMAS TERMOELETRICOS
Tipo Projeto: Pesquisa Básica
Situação Projeto: Em Andamento
Data Início Projeto: 03/2012
Ano Fim Projeto: 2015
Tipo Envolvimento Contrato: Individual
Descrição Projeto
Nanofios semicondutores têm sido muito investigados na última década devido às possíveis aplicações decorrentes de sua geometria e propriedades físicas associadas. Apesar disso, algumas questões relativas ao crescimento de nanofios, particularmente os de compostos III-V, ainda precisam ser respondidas para que o potencial tecnológico desses nano-objetos possa ser aproveitado. Neste projeto pretendemos estudar o crescimento de nanofios semicondutores dos grupo III-V, particularmente de ligas ternárias e/ou fios heteroestruturados, explorando sua caracterização estrutural e verificando os efeitos (forma, orientação cristalográfica, propriedades ópticas e elétricas, etc) resultantes. Este trabalho será realizado em busca de novas características geométricas e estruturais que possam ser associadas a diferentes fenômenos do pontos de vista de comportamento térmico e elétrico. Para isso, a metodologia de trabalho envolve diferentes técnicas - epitaxia, microscopia eletrônica e de força atômi
Linha Pesquisa:
Física da Matéria Condensada
Instituições
Nome:
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo
Tipo do Financiamento: Bolsa Doutorado DR
Nº Processo na Financiadora: 2011/22876-0
Data Início Financiamento: 03/2012
Data Fim Financiamento: 02/2016
Valor do Financiamento: R$ 130.901,32
Complemento do Tipo Financiamento: BOLSA NO PAIS-DR-II
Órgãos
(IFGW) DFA - DEPARTAMENTO DE FISICA APLICADA [08.03.00.00.00.00.00]
IFGW - INSTITUTO DE FISICA "GLEB WATAGHIN" [08.00.00.00.00.00.00]
Equipes Projeto
Douglas Soares de Oliveira( Participante )
MONICA ALONSO COTTA( Responsável )



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