Relatório Carga Fapesp / 2001Emissão: 15/11/2003 00:19:00
DMCSI - DEPTO. DE MÁQUINAS COMPONENTES E SISTEMAS INTELIGENTES

Projeto Incluído
Nome Projeto: PROTON RADIATION HARDENING STUDY OF OF OXYNITRIDE GATE NMOSFETS FORMED BY LOW ENERGY NITROGEN IMPLANTATION INTO SILICON PRIOR TO OXIDATION.
Tipo Projeto: Pesquisa Básica
Situação Projeto: Em Andamento
Data Início Projeto: 09/2001
Ano Fim Projeto: 2001
Tipo Envolvimento Contrato: Individual
Descrição Projeto: PROTON RADIATION HARDENING STUDY OF OF OXYNITRIDE GATE NMOSFETS FORMED BY LOW ENERGY NITROGEN IMPLANTATION INTO SILICON PRIOR TO OXIDATION.
Instituições
Nome:
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Fapesp
Tipo do Financiamento: Auxilio part. Reunião
Nº Processo na Financiadora: 2001/07398-2
Data Início Financiamento: 09/2001
Data Fim Financiamento: 09/2001
Valor do Financiamento: R$ 7.849,69
Órgãos
29.06.00.00.00.00.00 - DEPTO. DE MÁQUINAS COMPONENTES E SISTEMAS INTELIGENTES
Equipes Projeto
IOSHIAKI DOI( Responsável )

Projeto Alterado
Nome Projeto: O ESTUDO DA MAQUINA DE DUPLA EXCITACAO.
Tipo Projeto: Pesquisa Básica
Situação Projeto: Em Andamento
Data Início Projeto: 03/2002
Ano Fim Projeto: 2004
Tipo Envolvimento Contrato: Individual
Descrição Projeto: O ESTUDO DA MAQUINA DE DUPLA EXCITACAO.
Instituições
Nome:
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo - Fapesp
Tipo do Financiamento: Bolsa Mestrado MS
Nº Processo na Financiadora: 2001/13658-7
Data Início Financiamento: 03/2002
Data Fim Financiamento: 02/2004
Valor do Financiamento: R$ 26.400,00
Órgãos
29.06.00.00.00.00.00 - DEPTO. DE MÁQUINAS COMPONENTES E SISTEMAS INTELIGENTES
Equipes Projeto
ALISSON MOISES MOREIRA DE SOUZA( Participante )
ANA CRISTINA CAVALCANTI LYRA( Responsável )



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