Relatório Carga Fapesp / 2013Emissão: 10/03/2016 21:02:18

DSIF - DEPARTAMENTO DE SEMICONDUTORES INSTRUMENTOS E FOTONICA

Projeto Alterado
Nome Projeto: DESENVOLVIMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROJUNCAO (HBT) E TRANSISTORES MOS VERTICAIS COM INGAP/GAAS.
Tipo Projeto: Pesquisa Básica
Situação Projeto: Em Andamento
Data Início Projeto: 10/2013
Ano Fim Projeto: 2016
Tipo Envolvimento Contrato: Individual
Descrição Projeto: DESENVOLVIMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES DE HETEROJUNCAO (HBT) E TRANSISTORES MOS VERTICAIS COM INGAP/GAAS.
Instituições
Nome:
Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo
Tipo do Financiamento: Bolsa Doutorado DR
Nº Processo na Financiadora: 2013/13983-2
Data Início Financiamento: 10/2013
Data Fim Financiamento: 09/2016
Valor do Financiamento: R$ 140.590,65
Complemento do Tipo Financiamento: BOLSA NO PAIS-DR-II
Órgãos
(FEEC) DSIF - DEPARTAMENTO DE SEMICONDUTORES INSTRUMENTOS E FOTONICA [29.09.00.00.00.00.00]
(REIT) CCSNAN - CENTRO DE COMPONENTES SEMICONDUTORES E NANOTECNOLOGIAS [01.21.00.00.00.00.00]
Equipes Projeto
Cássio Roberto de Almeida( Participante )
José Alexandre Diniz( Responsável )



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